i c , nom 50 a i c 75 a min. typ. max. - 1,7 2,15 v - 2,0 - v i2t value i2t v ge(th) c ies na gate emitter leakage current gate emitter reststrom v ce = 0v, v ge = 20v, t vj = 25c i ges - 400 6,5 - - - 5 0,13 - v nf 3,50 - 0,47 - c a dc forward current + 20 700 a2s t p = 1ms i frm 100 a grenzlastintegral 100 dauergleichstrom i f 50 t c = 25c; transistor repetitive peak collector current t p = 1ms, t c = 80c periodischer kollektor spitzenstrom w v gate emitter peak voltage t c = 25c dc collector current h?chstzul?ssige werte / maximum rated values kollektor emitter sperrspannung t c = 80c kollektor dauergleichstrom collector emitter voltage t vj = 25c 1200 v elektrische eigenschaften / electrical properties i c = 50a, v ge = 15v, t vj = 125c gate schwellenspannung i c = 2,0ma, v ce = v ge , t vj = 25c gate threshold voltage periodischer spitzenstrom gesamt verlustleistung total power dissipation gate emitter spitzenspannung v cesat charakteristische werte / characteristic values approved: sm tm; robert severin v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules v ces a isolations prfspannung insulation test voltage rms, f= 50hz, t= 1min. v isol i crm p tot 270 repetitive peak forward current kv 2,5 5,0 5,8 transistor wechselrichter / transistor inverter date of publication: 2002-09-03 kollektor emitter s?ttigungsspannung i c = 50a, v ge = 15v, t vj = 25c collector emitter saturation voltage v ges revision: 3.0 eingangskapazit?t input capacitance f= 1mhz, t vj = 25c, v ce = 25v, v ge = 0v prepared by: mod-d2; m. mnzer collector emitter cut off current i ces rckwirkungskapazit?t reverse transfer capacitance f= 1mhz, t vj = 25c, v ce = 25v, v ge = 0v kollektor emitter reststrom c res ma - v ce = 1200v, v ge = 0v, t vj = 25c gateladung v ge = -15v...+15v q g - gate charge nf - 1 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules min. typ. max. - 0,09 - s - 0,09 - s - 0,03 - s - 0,05 - s - 0,42 - s - 0,52 - s - 0,07 - s - 0,09 - s - 1,65 2,15 v - 1,65 - v - 67 - a - 70 - a - 5,6 - c - 9,9 - c - 2,2 - mj - 4,1 - mj sperrverz?gerungsladung recovered charge i f = 50a, -di f /dt= 1900a/s kurzschlussverhalten t p 10s, v ge 15v, t vj 125c i sc - 200 - a sc data v cc = 900v, v cemax = v ces - l ce di/dt einschaltverlustenergie pro puls turn on energy loss per pulse ausschaltverlustenergie pro puls fallzeit (induktive last) fall time (inductive load) v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 125c - nh stray inductance module modulinduktivit?t l ce - diode wechselrichter / diode inverter 2,5 q r ausschaltenergie pro puls reverse recovery energy e rec v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 25c v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 125c i f = 50a, -di f /dt= 1900a/s 19 turn off energy loss per pulse e off i c = 50a, v cc = 600v, l = 70nh v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 125c - 6,5 leitungswiderstand, anschluss-chip lead resistance, terminal-chip r cc/ee t c = 25c - mj - mj e on i c = 50a, v cc = 600v, l = 70nh v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 125c i c = 50a, v cc = 600v t d,off v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 125c i c = 50a, v cc = 600v m ? charakteristische werte / characteristic values i c = 50a, v cc = 600v v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 25c - - t f v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 25c v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 125c - 5,0 v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 125c v f forward voltage rckstromspitze peak reverse recovery current i rm charakteristische werte / characteristic values i f = 50a, v ge = 0v, t vj = 25c i f = 50a, v ge = 0v, t vj = 125c einschaltverz?gerungszeit (induktive last) turn on delay time (inductive load) v ge = 15v, r g = 18 ? , t vj = 125c abschaltverz?gerungszeit (induktive last) turn off delay time (inductive load) v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 25c v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 125c transistor wechselrichter / transistor inverter t d,on anstiegszeit (induktive last) rise time (inductive load) i c = 50a, v cc = 600v t r v r = 600v, v ge = -15v, t vj = 25c i f = 50a, -di f /dt= 1900a/s durchlassspannung 2 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules min. typ. max. - - 0,45 k/w - - 0,75 k/w mm clearence distance luftstrecke mm creepage distance kriechstrecke this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid with the belonging technical notes. innerer w?rmewiderstand; dc thermal resistance, junction to case; dc transistor wechelr. / transistor inverter diode wechselrichter / diode inverter r thjc mechanische eigenschaften / mechanical properties nm anzugsdrehmoment, mech. befestigung mounting torque t vj op mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. 125 c c t stg -40 - 125 lagertemperatur storage temperature -- -40 - c 20 mw 150 - b-wert r 2 = r 1 exp[b(1/t 2 - 1/t 1 )] b 25/50 k/w - 0,02 - 3375 - k - - charakteristische werte / characteristic values ntc-widerstand / ntc-thermistor nennwiderstand t c = 25c rated resistance deviation of r 100 b-value % pro modul / per module paste = 1w/m*k / grease = 1w/m*k operation temperature maximum junction temperature betriebstemperatur r thck thermal resistance, case to heatsink h?chstzul?ssige sperrschichttemp. bergangs w?rmewiderstand t vj max verlustleistung t c = 100c, r 100 = 493 ? ? r/r t c = 25c p 25 power dissipation -5 abweichung von r 100 r 25 - k ? thermische eigenschaften / thermal properties -5 - 5 comperative tracking index gewicht schraube / screw m5 al 2 o 3 10,0 7,5 innere isolation case, see appendix geh?use, siehe anlage internal insulation cti 225 m 3 - 6 g weight g 180 3 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules a usgangs k enn li n i e (t yp i sc h) i c = f(v ce ) output characteristic (typical) t vj = 125c output characteristic (typical) v ge = 15v a usgangs k enn li n i en f e ld (t yp i sc h) i c = f(v ce ) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 v ce [v] i c [a] tvj = 25c tvj = 125c 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 v ce [v] i c [a] vge=19v vge=17v vge=15v vge=13v vge=11v vge=9v 4 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules b er t ragungsc h ara kt er i s tik (t yp i sc h) transfer characteristic (typical) i c = f(v ge ) v ce = 20v durchlasskennlinie der inversdiode (typisch) i f = f(v f ) forward caracteristic of inverse diode (typical) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 456789101112 v ge [v] i c [a] tvj=25c tvj=125c 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 v f [v] i f [a] tvj = 25c tvj = 125c 5 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules s c h a lt ver l us t e (t yp i sc h) switching losses (typical) e on = f(i c ), e off = f(i c ), e rec = f(i c ) v ge =15v, r g =18 ? , v ce =600v, t vj =125c schaltverluste (typisch) switching losses (typical) e on = f(r g ), e off = f(r g ), e rec = f(r g ) v ge =15v, i c =50a, v ce =600v, t vj =125c 0 2 4 6 8 10 12 14 0 102030405060708090100 i c [a] e [mj] eon eoff erec 0 2 4 6 8 10 12 14 0 1020304050607080 r g [ ? ] e [mj] eon eoff erec 6 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules 2,345e-03 transienter w?rmewiderstand z thjc = f (t) 3 2,032e-01 2,820e-02 1,128e-01 2,820e-01 sicherer arbeitsbereich (rbsoa) reverse bias safe operation area (rbsoa) v ge =15v, r g =18 ? , t vj =125c i r i [k/w] : igbt i [s] : igbt r i [k/w] : diode i [s] : diode 1 5,077e-02 7,662e-01 7,637e-02 3,333e-03 4,933e-01 3,429e-02 1,421e-01 1,294e-01 4,501e-02 1,142e-01 2 7,893e-02 4 transient thermal impedance 0,01 0,1 1 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] z thjc [k/w] zth : igbt zth : diode 0 25 50 75 100 125 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 v ce [v] i c [a] ic,chip ic,modul 7 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
technische information / technical information FS50R12KE3 igbt-module igbt-modules geh?usema?e / schaltbild package outline / circuit diagram 8 (8) db_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03
nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie?lich fr technisch geschultes fachpersonal bestimmt. die beurteilung der geeignetheit dieses produkte s fr die von ihnen anvisierte anwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen merkmale besch rieben, fr die wir eine liefervertragliche gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?l ich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das produkt und dessen eigenschaft en keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenbl atts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz dieses produktes betreffen, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung (siehe www.eupec.com, vertrieb&kontakt). fr interessent en halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt ge sundheitsgef?hrdende substanzen enthalten. bei rckfragen zu den in diesem produkt jeweils enthaltenen s ubstanzen setzen sie sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in anwendungen der luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden anwendungsbereichen ei nzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir we isen darauf hin, dass wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko- und qualit?tsassessments; - den abschluss von speziellen q ualit?tssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen zu einer laufenden produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung v on der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen dieses produkt datenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the data contained in this product data s heet is exclusively intended for technically trained staff. you and your technical dep artments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. this product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditi ons of the supply agreement. there will be no guarantee of any kind for the product a nd its characteristics. should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please c ontact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). f or those that are specifically interested we may provide application notes. due to technical requirements our product may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in aviation applications , in health or live endangering or life support applications, plea se notify. please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.
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